參數(shù)資料
型號： MRF1550FNT1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 5/13頁
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代理商： MRF1550FNT1
MRF1550NT1 MRF1550FNT1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
210
10
11
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
10
10
10
8
M
2
)
90
110
130
150
170
190
100
120
140
160
180
200
Figure 10. MTTF Factor versus Junction Temperature
10
9
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PDF描述
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