參數(shù)資料
型號(hào)： MPSW14
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： One Watt Darlington Transistors
中文描述： 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 113K
代理商： MPSW14
2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
ON CHARACTERISTICS(1)
Symbol
Min
Max
Unit
DC Current Gain
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MPSW13
MPSW14
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
MPSW13
MPSW14
hFE
5,000
10,000
10,000
20,000
—
—
—
—
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 0.1 mAdc)
VCE(sat)
—
1.5
Vdc
Base–Emitter On Voltage
(IC = 100 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product(2)
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
VBE(on)
—
2.0
Vdc
fT
125
—
MHz
1. Pulse Test: Pulse Width
2. fT = |hfe|
ftest.
300 s, Duty Cycle
2.0%.
500
5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
200 k
100 k
70 k
50 k
IB, BASE CURRENT ( A)
5.0
50
2.0
1.0
0.5
h
,
V
20 k
30
10
20
100
200
10
20
0.5
1.0 2.0
1.5
2.5
3.0
0.1
0.2
100
TJ = 125
°
C
TJ = 25
°
C
IC =
50 mA
IC =
10 mA
IC =
500 mA
IC =
250 mA
1.5
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
20
I
2.0
5.0
30
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
10
TA = 25
°
C
TC = 25
°
C
1.0 ms
1.0 s
100 s
Figure 1. Active Region — Safe Operating
Area
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector Saturation Region
7.0
70
50
300
10 k
7.0 k
5.0 k
2.0 k
30 k
3.0 k
VCE = 5.0 V
–55
°
C
25
°
C
500
200
1000
DUTY CYCLE
≤
10%
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