- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371138 > MPSW14 (MOTOROLA INC) One Watt Darlington Transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MPSW14 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | One Watt Darlington Transistors |
| 中文描述： | 1000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AE |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | MPSW14 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Motorola, Inc. 1996
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
30
Vdc
Collector–Base Voltage
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
10
Vdc
Collector Current — Continuous
1.0
Adc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
1.0
8.0
Watts
mW/
°
C
Total Device Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
2.5
20
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
125
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
50
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 100
μ
Adc, VBE = 0)
V(BR)CES
30
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 10 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
100
nAdc
Order this document
by MPSW13/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–05, STYLE 1
TO–92 (TO–226AE)
123
COLLECTOR 3
BASE
2
EMITTER 1
REV 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSW45 | One Watt Darlington Transistors |
| MPSW45 | One Watt Darlington Transistors(NPN Silicon) |
| MPSW45A | One Watt Darlington Transistors |
| MPSW51 | ne Watt High Current Transistors |
| MPSW51A | One Watt High Current Transistors(PNP Silicon) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSW3725 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW3725_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW42 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSW42_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt High Voltage Transistor |
| MPSW42G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V 1W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。