參數(shù)資料
型號： MPSH10
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： VHF/UHF Transistors
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 77K
代理商： MPSH10
1998 Aug 27
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 1 GHz general purpose switching transistor
MPSH10
Fig.6
Common base reverse transfer admittance
(Y
12
) as a function of frequency.
V
CB
= 10 V; I
C
= 4 mA.
handbook, halfpage
(mS)
0
10
2
1
2
f (MHz)
3
4
MRA150
b12
g12
10
3
Fig.7
Common base reverse transfer admittance
(Y
12
).
V
CB
= 10 V; I
C
= 4 mA.
handbook, halfpage
(mS)
2
2
5
4
3
2
1
1.2
0.4
0.4
1.2
g12 (mS)
MRA152
1000 MHz
100
200
400
700
Fig.8
Common base reverse admittance (Y
22
) as
a function of frequency.
V
CB
= 10 V; I
C
= 4 mA.
handbook, halfpage
(mS)
0
10
2
2
4
f (MHz)
6
8
MRA151
10
3
b22
g22
Fig.9 Common base reverse admittance (Y
22
).
V
CB
= 10 V; I
C
= 4 mA.
handbook, halfpage
(mS)
0
10
0
2
4
6
8
2
4
6
8
g22 (mS)
MRA153
100 MHz
700 MHz
400 MHz
200 MHz
1000 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSH10 VHF/UHF Transistors(NPN Silicon)
MPSH10 NPN RF Transistor
MPSH10 Mini size of Discrete semiconductor elements
MPU150-4350 Power Factor Correction (PFC) Meets EN61000-3-2
MPU150-4530 Power Factor Correction (PFC) Meets EN61000-3-2
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MPSH10_D27Z 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MPSH10_D74Z 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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