參數(shù)資料
型號(hào)： MPSH10
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： VHF/UHF Transistors
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 77K
代理商： MPSH10
1998 Aug 27
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 1 GHz general purpose switching transistor
MPSH10
FEATURES
Low cost
High power gain.
DESCRIPTION
Silicon NPN general purpose
transistor in a SOT54 (TO-92)
package. PNP complement is the
MPSH81.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
collector
emitter
base
Fig.1 SOT54.
page
1
3
2
MSB033
Marking code:
PSH10.
QUICK REFERENCE DATA
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector lead, 4 mm from the body.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector lead, 4 mm from the body.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
60
0.35
650
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
tot
T
j
h
FE
C
re
C
rb
f
T
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
total power dissipation
junction temperature
DC current gain
collector-emitter feedback capacitance
collector-base feedback capacitance
transition frequency
open emitter
open base
open collector
T
s
= 25
°
C; note 1
30
25
3
1
150
0.7
0.65
V
V
V
W
°
C
V
CE
= 10 V; I
C
= 4 mA
V
CB
= 10 V; I
E
= 0; f = 1 MHz
V
CB
= 10 V; I
E
= 0; f = 1 MHz
V
CE
= 10 V; I
C
= 4 mA;
f = 100 MHz; T
amb
= 25
°
C
V
CE
= 10 V; I
C
= 4 mA;
f = 100 MHz; T
amb
= 25
°
C
pF
pF
MHz
r
b
C
c
collector-base time constant
9
ps
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
30
25
3
40
1
+150
150
V
V
V
mA
W
°
C
°
C
T
s
= 25
°
C; note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSH10 VHF/UHF Transistors(NPN Silicon)
MPSH10 NPN RF Transistor
MPSH10 Mini size of Discrete semiconductor elements
MPU150-4350 Power Factor Correction (PFC) Meets EN61000-3-2
MPU150-4530 Power Factor Correction (PFC) Meets EN61000-3-2
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSH10_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor
MPSH10_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:VHF/UHF Transistors NPN Silicon
MPSH10_D26Z 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MPSH10_D27Z 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MPSH10_D74Z 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*