參數(shù)資料
型號： MPSH10
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： VHF/UHF Transistors(NPN Silicon)
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 77K
代理商： MPSH10
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of September 1995
File under Discrete Semiconductors, SC14
1998 Aug 27
DISCRETE SEMICONDUCTORS
MPSH10
NPN 1 GHz general purpose
switching transistor
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料
PDF描述
MPSH10 NPN RF Transistor
MPSH10 Mini size of Discrete semiconductor elements
MPU150-4350 Power Factor Correction (PFC) Meets EN61000-3-2
MPU150-4530 Power Factor Correction (PFC) Meets EN61000-3-2
MPU150-S259 Power Factor Correction (PFC) Meets EN61000-3-2
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MPSH10_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor
MPSH10_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:VHF/UHF Transistors NPN Silicon
MPSH10_D26Z 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MPSH10_D27Z 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MPSH10_D74Z 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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