參數(shù)資料
型號： MPS6651G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： MPS6651G
MPS6601, MPS6602 (NPN) MPS6651, MPS6652 (PNP)
http://onsemi.com
6
Figure 15. BaseEmitter Temperature
Coefficient
Figure 16. BaseEmitter Temperature
Coefficient
Figure 17. Safe Operating Area
Figure 18. Safe Operating Area
Figure 19. MPS6601/6602 Saturation Region
Figure 20. MPS6651/6652 Saturation Region
100
1000
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1000
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
10
1.0
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE
500
200
100
50
20
10
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE
10
40
1.0
500
200
100
50
20
10
20
20
0.1
10
0.01
I
B
, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.1
100
0.01
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
1.0
T
J
= 25
°
C
RV
IC
NPN
PNP
10
R
VB
for V
BE
°
RV
°
10
0.8
R
VB
for V
BE
2.0
5.0
1 k
2.0
5.0
40
1 k
IC
10
100
I
C
=
100 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
250 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
1000 mA
I
C
=
10 mA
T
J
= 25
°
C
I
C
=
100 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
250 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
1000 mA
I
C
=
10 mA
1.0 MS
1.0 s
T
C
= 25
°
C
MPS6601
MPS6602
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
1.0 MS
1.0 s
T
C
= 25
°
C
MPS6651
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
MPS6652
,
VC
,
VC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS6652G Amplifier Transistors
MPS6724G One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPS6724RLRA One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPS6724RLRAG One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPS6725G One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS6652 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH CRNT AMP TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRP 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*