參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6651G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 87K
代理商： MPS6651G
MPS6601, MPS6602 (NPN) MPS6651, MPS6652 (PNP)
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
MPS6601/6651
MPS6602/6652
V
(BR)CEO
25
40
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 100 Adc, I
E
= 0)
MPS6601/6651
MPS6602/6652
V
(BR)CBO
25
40
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
4.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 25 Vdc, I
B
= 0)
(V
CE
= 30 Vdc, I
B
= 0)
MPS6601/6651
MPS6602/6652
I
CES
0.1
0.1
Adc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 25 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
MPS6601/6651
MPS6602/6652
I
CBO
0.1
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 1000 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
h
FE
50
50
30
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 1000 mAdc, I
B
= 100 mAdc)
V
CE(sat)
0.6
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
V
BE(on)
1.2
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain — Bandwidth Product
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
100
MHz
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
obo
30
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Delay Time
(V
CC
= 40 Vdc, I
C
= 500 mAdc,
I
B1
= 50 mAdc,
t
p
300 ns Duty Cycle)
t
d
25
ns
Rise Time
t
r
30
ns
Storage Time
t
s
250
ns
Fall Time
t
f
50
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS6652G Amplifier Transistors
MPS6724G One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPS6724RLRA One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPS6724RLRAG One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPS6725G One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS6652 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH CRNT AMP TRNSTR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6652RLRP 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistors
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