參數(shù)資料
型號： MPF102
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： JFET VHF Amplifier
中文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 270K
代理商： MPF102
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 10. S11s
Figure 11. S12s
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Figure 12. S21s
Figure 13. S22s
COMMON SOURCE CHARACTERISTICS
S–PARAMETERS
(VDS = 15 Vdc, Tchannel = 25
°
C, Data Points in MHz)
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MPF102_D74Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
MPF102_D74Z_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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