參數(shù)資料
型號(hào)： MPF102
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： JFET VHF Amplifier
中文描述： VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 270K
代理商： MPF102
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
N–Channel — Depletion
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
VDS
VDG
VGS
IG
PD
25
Vdc
Drain–Gate Voltage
25
Vdc
Gate–Source Voltage
–25
Vdc
Gate Current
10
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
350
2.8
mW
mW/
°
C
Junction Temperature Range
TJ
Tstg
125
°
C
Storage Temperature Range
–65 to +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Gate–Source Breakdown Voltage
(IG = –10
μ
Adc, VDS = 0)
V(BR)GSS
–25
—
Vdc
Gate Reverse Current
(VGS = –15 Vdc, VDS = 0)
(VGS = –15 Vdc, VDS = 0, TA = 100
°
C)
IGSS
—
—
–2.0
–2.0
nAdc
μ
Adc
Gate–Source Cutoff Voltage
(VDS = 15 Vdc, ID = 2.0 nAdc)
VGS(off)
—
–8.0
Vdc
Gate–Source Voltage
(VDS = 15 Vdc, ID = 0.2 mAdc)
ON CHARACTERISTICS
Zero–Gate–Voltage Drain Current(1)
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0 Vdc)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Forward Transfer Admittance(1)
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 kHz)
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 100 MHz)
VGS
–0.5
–7.5
Vdc
IDSS
2.0
20
mAdc
yfs
2000
1600
7500
—
mhos
Input Admittance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 100 MHz)
Re(yis)
—
800
mhos
Output Conductance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 100 MHz)
Re(yos)
—
200
mhos
Input Capacitance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz)
Ciss
—
7.0
pF
Reverse Transfer Capacitance
(VDS = 15 Vdc, VGS = 0, f = 1.0 MHz)
Crss
—
3.0
pF
1. Pulse Test; Pulse Width
630 ms, Duty Cycle
10%.
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by MPF102/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 5
TO–92 (TO–226AA)
1
23
1 DRAIN
2 SOURCE
3
GATE
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