參數(shù)資料
型號: MPF102
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: JFET VHF Amplifier
中文描述: VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
封裝: CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大?。?/td> 270K
代理商: MPF102
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
N
2.0
VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0
10
2.0
4.0
6.0
8.0
0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
ID = 5.0 mA
100 MHz
VDS = 15 Vdc
f1 = 399 MHz
f2 = 400 MHz
N
2.0
ID, DRAIN CURRENT (mA)
1.5
6.5
2.5
3.5
4.5
5.5
0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
Figure 3. Effects of Drain–Source Voltage
Figure 4. Effects of Drain Current
NOISE FIGURE
(Tchannel = 25
°
C)
Pin, INPUT POWER PER TONE (dB)
+40
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
o
16
18
20
f = 400 MHz
f = 400 MHz
100 MHz
VDS = 15 V
VGS = 0 V
+20
0
–20
–40
–60
–80
–100
–120
–140
–160
–120
–100
–80
–60
–40
–20
0
+20
3RD ORDER INTERCEPT
FUNDAMENTAL
OUTPUT @ IDSS,
0.25 IDSS
3RD ORDER IMD
OUTPUT @ IDSS,
0.25 IDSS
INTERMODULATION CHARACTERISTICS
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MPF102_D74Z_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel