參數(shù)資料
型號(hào)： MMUN2134
廠(chǎng)商： 樂(lè)山無(wú)線(xiàn)電股份有限公司
英文描述： Bias Resistor Transistor
中文描述： 偏置電阻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/7頁(yè)
文件大?。?/td> 266K
代理商： MMUN2134
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Q1–7/7
MMUN2111RLT1 SERIES
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2114RLT1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 17. V
CE(sat)
versus I
C
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
2
4
6
8
10
15
20
40
50
60
70
80
90
100
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1
0.1
0.01
V
i
,
V
C
C
I
C
,
h
F
0
10
20
30
40
100
10
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
1
0.1
0
10
20
30
40
50
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 18. DC Current Gain
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 19. Output Capacitance
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
Figure 20. Output Current versus Input Voltage
Figure 22. Inexpensive, Unregulated Current
Source
V
O
= 5 V
I
C
/I
B
=10
T
A
= –25°C
75°C
25°C
V
CE
= 10V
T
A
=75°C
–25°C
25°C
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25°C
0
2
4
6
8
10
15
20
25
30
35
40
45
50
–25°C
25°C
T
A
= 75°C
25°C
T
A
= –25°C
75°C
V
O
= 0.2 V
Typical Application
for PNP BRTs
12 V
LOAD
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 21. Input Voltage versus Output Current
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PDF描述
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參數(shù)描述
MMUN2134L 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 47 k
MMUN2134LT1 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMUN2134LT1G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMUN2134LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR PRE-BIASED PNP 50V 22/47K
MMUN2134LT3 制造商:LRC 制造商全稱(chēng):Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistors
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