參數(shù)資料
型號(hào)： MMUN2134
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Bias Resistor Transistor
中文描述： 偏置電阻晶體管
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 266K
代理商： MMUN2134
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Q1–3/7
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Output Voltage (off) (V
CC
= 5.0V, V
B
= 0.5 V, R
L
= 1.0k
)
(V
CC
= 5.0V, V
B
= 0.25 V, R
L
=1.0k
)
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
(V
CC
=5.0 V,V
B
=0.050V,R
L
=1.0k
)
MMUN2130RLT1
Input Resistor
MMUN2111RLT1
MMUN2112RLT1
MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1
MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1
MMUN2131RLT1
MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
MMUN2134RLT1
Resistor Ratio
MMUN2111RLT1 MMUN2112RLT1 MMUN2113RLT1
MMUN2114RLT1
MMUN2115RLT1 MMUN2116RLT1
MMUN2130RLT1 MMUN2131RLT1 MMUN2132RLT1
MMUN2133RLT1
Symbol
V
OH
Min
4.9
Typ
—
Max
—
Unit
Vdc
R
1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
0.8
0.17
—
0.8
0.055
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
1.0
0.21
—
1.0
0.1
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
1.2
0.25
—
1.2
0.185
k
R
1
/R
2
MMUN2111RLT1 SERIES
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參數(shù)描述
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MMUN2134LT1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMUN2134LT1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMUN2134LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR PRE-BIASED PNP 50V 22/47K
MMUN2134LT3 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistors
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