參數(shù)資料
型號(hào)： MMT10B230T3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 浪涌電流限制器
英文描述： Thyristor Surge Protectors
中文描述： 265 V, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA
封裝： CASE 403C, SMT, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： MMT10B230T3
MMT10B230T3, MMT10B260T3, MMT10B310T3
http://onsemi.com
4
Figure 1. OffState Current versus Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
140
120
100
80
60
40
20
0
100
10
1
0.1
0.01
I
Figure 2. Breakdown Voltage versus Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
VB
Figure 3. Breakover Voltage versus Temperature
Figure 4. Holding Current versus Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
1000
100
50
0
50
125
V
D1
= 50V
100
200
300
400
500
600
700
800
900
IH
VB
100
50
0
50
125
340
320
300
280
260
240
220
200
180
160
MMT10B230T3
MMT10B260T3
MMT10B310T3
TEMPERATURE (
°
C)
100
50
0
50
125
360
340
320
300
280
260
240
220
200
180
MMT10B230T3
MMT10B260T3
MMT10B310T3
μ
Figure 5. Exponential Decay Pulse Waveform
TIME ( s)
0
50
0
I
100
t
r
= rise time to peak value
t
f
= decay time to half value
t
r
t
f
Peak
Value
Half Value
25
25
75
25
25
75
25
25
75
TIME (sec)
100
10
0.1
0.01
100
10
1
C
Figure 6. Peak Surge OnState Current versus
Surge Current Duration, Sinusoidal Waveform
1
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PDF描述
MMT10B260T3 Thyristor Surge Protectors
MMT10B310T3 Thyristor Surge Protectors
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MMT10B260T3G 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 100A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
MMT10B310T3 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 100A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
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