參數(shù)資料
型號: MMT10B230T3
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 浪涌電流限制器
英文描述: Thyristor Surge Protectors
中文描述: 265 V, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA
封裝: CASE 403C, SMT, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 48K
代理商: MMT10B230T3
MMT10B230T3, MMT10B260T3, MMT10B310T3
http://onsemi.com
3
+ Current
+ Voltage
V
TM
V
(BO)
I
(BO)
I
D2
I
D1
V
D1
V
D2
V
(BR)
I
H
Symbol
I
D1
, I
D2
V
D1
, V
D2
V
BR
V
BO
I
BO
I
H
V
TM
Parameter
Off State Leakage Current
Off State Blocking Voltage
Breakdown Voltage
Breakover Voltage
Breakover Current
Holding Current
On State Voltage
Voltage Current Characteristic of TSPD
(Bidirectional Device)
相關PDF資料
PDF描述
MMT10B260T3 Thyristor Surge Protectors
MMT10B310T3 Thyristor Surge Protectors
MMUN2134LT1 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
MMUN5233DW1T1 Dual Bias Resistor Trasnsistors
MMVL105GT1 VOLTAGE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MMT10B230T3_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD
MMT10B230T3G 功能描述:硅對稱二端開關元件 100A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
MMT10B260T3 功能描述:硅對稱二端開關元件 100A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
MMT10B260T3G 功能描述:硅對稱二端開關元件 100A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
MMT10B310T3 功能描述:硅對稱二端開關元件 100A Surge 365V RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態(tài)電流: 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下): 保持電流(Ih 最大值):50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA