參數(shù)資料
型號(hào)： MMT08B064T3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 浪涌電流限制器
英文描述： Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD(高壓，雙向，TSPD，閘流管浪涌保護(hù)器)
中文描述： 77 V, 32 A, SILICON SURGE PROTECTOR, DO-214AA
封裝： CASE 403C, SMT, SMB, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 56K
代理商： MMT08B064T3
MMT08B064T3
http://onsemi.com
3
V
B
,
I
D
,
Figure 1. Typical OffState Current versus
Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
140
120
100
80
60
0
40
60
10
1
0.1
0.01
0.001
Figure 2. Typical Breakdown Voltage versus
Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
V
D1
= 50 V
0
60
1
40
78
76
74
72
70
68
66
80
40
20
20
20
40
20
40
120
100
60
80
C
I
P
P
I
H
,
V
B
,
Figure 3. Maximum Breakover Voltage versus
Temperature
Figure 4. Typical Holding Current versus
Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
700
40
100
TEMPERATURE (
°
C)
40
0
60
140
84
82
80
78
76
74
86
TIME (s)
100000
1000
100
10
250
230
150
50
Figure 5. Exponential Decay Pulse Waveform
Figure 6. Peak Surge OnState Current versus
Surge Current Duration, Sinusoidal Waveform
40
20
20
60
120
100
80
600
500
400
300
200
20
0
20
40
60
80
100
120
TIME ( s)
0
50
0
100
t
r
= rise time to peak value
t
f
= decay time to half value
t
r
t
f
Peak
Value
Half Value
70
90
110
130
210
170
190
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMT08B310T3 Thyristor Surge Protectors(晶闡管浪涌電壓保護(hù)器)
MMUN2238LT1 Bias Resistor Transistor
MMUN2241LT1 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network(NPN型偏置電阻晶體管)
MMUN2212LT1 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network(NPN型偏置電阻晶體管)
MMUN2211LT1 Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network(NPN型偏置電阻晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMT08B064T3G 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 80A Surge 64V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
MMT08B260T3 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 80A Surge 260V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
MMT08B260T3G 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 80A Surge 260V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
MMT08B310T3 功能描述:硅對(duì)稱二端開關(guān)元件 80A Surge 310V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
MMT08B310T3_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD
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