參數(shù)資料
型號： MMFT5P03HD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 3.7 A, 30 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA
封裝： CASE 318E-04, 4 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 198K
代理商： MMFT5P03HD
8
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 14. Thermal Response
Figure 15. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
t, TIME (s)
0.1
0.01
0.001
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E–05
1.0E–04
1.0E–03
1.0E–02
1.0E–01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.0001
1
R
T
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMFT5P03HDT3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
MMFT5P03HD TMOS MEDIUM POWER FET 5.2 AMPERES 30 VOLTS
MMG05N60D POWERLUX IGBT
MMG05N60D Insulated Gate Bipolar Transistor
MMPQ2222 Quad General Purpose Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMFT5P03HDT1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MMFT5P03HDT3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR
MMFT6N03HD 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER 6.0 AMPERES 30 VOLTS
MMFT960T1 功能描述:MOSFET 60V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMFT960T1_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*