參數(shù)資料
型號(hào)： MMFT5P03HD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 3.7 A, 30 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA
封裝： CASE 318E-04, 4 PIN
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 198K
代理商： MMFT5P03HD
2
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
MAXIMUM RATINGS
(TJ = 25
°
C unless otherwise noted)
Negative sign for P–Channel devices omitted for clarity
Rating
Symbol
VDSS
VDGR
VGS
RTHJA
PD
Max
30
30
±
20
40
3.13
25
5.2
4.1
26
Unit
V
V
V
°
C/W
Watts
mW/
°
C
A
A
A
°
C/W
Watts
mW/
°
C
A
A
A
°
C
mJ
Drain–to–Source Voltage
Drain–to–Gate Voltage (RGS = 1.0 M
)
Gate–to–Source Voltage — Continuous
1 inch SQ.
FR–4 or G–10 PCB
10 seconds
Thermal Resistance — Junction to Ambient
Total Power Dissipation @ TA = 25
°
C
Linear Derating Factor
Drain Current — Continuous @ TA = 25
°
C
Continuous @ TA = 70
°
C
Pulsed Drain Current (1)
Thermal Resistance — Junction to Ambient
Total Power Dissipation @ TA = 25
°
C
Linear Derating Factor
Drain Current — Continuous @ TA = 25
°
C
Continuous @ TA = 70
°
C
Pulsed Drain Current (1)
ID
ID
IDM
RTHJA
PD
Minimum
FR–4 or G–10 PCB
10 seconds
ID
ID
IDM
TJ, Tstg
EAS
80
1.56
12.5
3.7
2.9
19
Operating and Storage Temperature Range
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche Energy — Starting TJ = 25
°
C
(VDD = 30 Vdc, VGS = 10 Vdc, Peak IL = 12 Apk, L = 3.5 mH, RG = 25 )
(1) Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.
– 55 to 150
250
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMFT5P03HDT3 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
MMFT5P03HD TMOS MEDIUM POWER FET 5.2 AMPERES 30 VOLTS
MMG05N60D POWERLUX IGBT
MMG05N60D Insulated Gate Bipolar Transistor
MMPQ2222 Quad General Purpose Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMFT5P03HDT1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MMFT5P03HDT3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS P-CHANNEL FIELD FEECT TRANSISTOR
MMFT6N03HD 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER 6.0 AMPERES 30 VOLTS
MMFT960T1 功能描述:MOSFET 60V 300mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMFT960T1_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mA, 60 Volts N−Channel SOT−223
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*