參數(shù)資料
型號: MMDFS6N303
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: JFETs
英文描述: 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: SO-8
文件頁數(shù): 12/12頁
文件大?。?/td> 251K
代理商: MMDFS6N303
MMDFS6N303
9
Motorola TMOS Product Preview Data
TYPICAL APPLICATIONS
LOAD
Vout
CO
+
Vin
+
LOAD
Vout
CO
+
Vin
+
LO
STEP DOWN SWITCHING REGULATORS
Buck Regulator
Synchronous Buck Regulator
LOAD
Vout
CO
+
Vin
+
LOAD
Vout
CO
+
Vin
+
STEP UP SWITCHING REGULATORS
Boost Regulator
Buck–Boost Regulator
L1
Q1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMFT3055VT3G 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT3055VT3 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT6661T1 500 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT6661T3 500 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT960T3 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMDFS6N303R2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MMDJ3N03BJT 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Power Transistors SO−8 for Surface Mount Applications
MMDJ3P03BJT 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR PNP SILICON 30 VOLTS 3 AMPERES
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