參數(shù)資料
型號(hào)： MMDF2C03HD
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 30 VOLTS
中文描述： 2 A, 30 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 751-05, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 381K
代理商： MMDF2C03HD
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
N–Channel
P–Channel
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 7. Capacitance Variation
C
10
0
10
15
25
TJ = 25
°
C
VDS = 0 V VGS = 0 V
Ciss
1000
800
600
400
200
0
20
Ciss
Coss
Crss
5
5
Crss
30
1200
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
C
400
600
800
1200
1000
10
0
10
15
20
30
VGS
VDS
5
5
Crss
TJ = 25
°
C
200
25
Ciss
VDS = 0 V VGS = 0 V
Ciss
Coss
Crss
0
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
VGS
VDS
Figure 8. Gate–To–Source and Drain–To–Source
Voltage versus Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
Figure 8. Gate–To–Source and Drain–To–Source
Voltage versus Total Charge
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
V
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
0
2
4
6
8
ID = 3 A
TJ = 25
°
C
VGS
6
3
0
12
9
24
18
12
6
0
VDS
QT
Q1
Q2
Q3
10
12
t
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
1000
1
100
10
1
VDD = 15 V
ID = 3 A
VGS = 10 V
TJ = 25
°
C
td(on)
tr
tf
100
10
td(off)
24
V
20
16
12
8
4
0
0
10
6
2
0
V
12
8
4
2
4
6
8
16
ID = 2 A
TJ = 25
°
C
10
12
14
VDS
VGS
QT
Q2
Q3
Q1
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
1
10
100
1000
100
10
1
t
VDD = 15 V
ID = 2 A
VGS = 10 V
TJ = 25
°
C
tr
td(on)
tf
td(off)
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMDF2N02E DUAL TMOS MOSFET 3.6 AMPERES 25 VOLTS
MMDF2N06VL DUAL TMOS MOSFET 2.5 AMPERES 60 VOLTS
MMDF2N06V DUAL TMOS MOSFET 3.3 AMPERES 60 VOLTS
MMDF2P01HD DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 12 VOLTS
MMDF2P02E DUAL TMOS MOSFET 2.5 AMPERES 25 VOLTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMDF2C03HDR2 功能描述:MOSFET 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMDF2C03HDR2G 功能描述:MOSFET COMP S08C 30V 4.1A 70mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMDF2C03HDR2G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
MMDF2N02E 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual
MMDF2N02ER2 功能描述:MOSFET 25V 2A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*