參數(shù)資料
型號： MMBTH10-4LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： MMBTH10-4LT1
MMBTH10LT1, MMBTH104LT1
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Rectangular Form
grb (mmhos)
Figure 6. Polar Form
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 7. Rectangular Form
gob (mmhos)
Figure 8. Polar Form
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
2.0
1.2
0.4
0.4
0
5.0
1.2
2.0
10
4.0
2.0
0
1.8
0.8
0
0.8
1.6
8.0
6.0
4.0
3.0
2.0
1.0
100
4.0
3.0
1.0
0
200
300
400
500
700
1000
5.0
100
200
300
400
500
700
1000
0
3.0
2.0
1.0
4.0
7.0
6.0
5.0
10
9.0
8.0
2.0
bob
gob
brb
brb
grb
MPS H11
MPS H10
100
200
400
700
1000 MHz
100
200
400
700
1000 MHz
j
r
j
o
,
o
y
,
r
y
yob, OUTPUT ADMITTANCE
COMMONBASE y PARAMETERS versus FREQUENCY
(VCB = 10 Vdc, IC = 4.0 mAdc, TA = 25
°
C)
yrb, REVERSE TRANSFER ADMITTANCE
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MMBTH10-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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