- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄98024 > MMBTA13LT3 (ON SEMICONDUCTOR) 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MMBTA13LT3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數： | 16/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 381K |
| 代理商： | MMBTA13LT3 |
8–7
Package Outline Dimensions
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (continued)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 1:
PIN 1. CATHODE
2. ANODE
B
D
K
A
C
E
J
1
2
H
CASE 425–04
SOD–123
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.055
0.071
1.40
1.80
B
0.100
0.112
2.55
2.85
C
0.037
0.053
0.95
1.35
D
0.020
0.028
0.50
0.70
E
0.004
–––
0.25
–––
H
0.000
0.004
0.00
0.10
J
–––
0.006
–––
0.15
K
0.140
0.152
3.55
3.85
CASE 463–01
SOT–416/SC–90
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
0.70
0.80
0.028
0.031
B
1.40
1.80
0.055
0.071
C
0.60
0.90
0.024
0.035
D
0.15
0.30
0.006
0.012
G
1.00 BSC
0.039 BSC
H
–––
0.10
–––
0.004
J
0.10
0.25
0.004
0.010
K
1.45
1.75
0.057
0.069
L
0.10
0.20
0.004
0.008
S
0.50 BSC
0.020 BSC
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
M
0.20 (0.008)
B
–A–
–B–
S
D
G
3 PL
0.20 (0.008) A
K
J
L
C
H
3
2
1
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
STYLE 4:
PIN 1. CATHODE
2. CATHODE
3. ANODE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA20LT3 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA56D87Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MPSA56D74Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56D27Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56D26Z | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBTA13LT3G | 功能描述:達林頓晶體管 SS DL XSTR NPN 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA13-T | 功能描述:達林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA13-TP | 功能描述:達林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA14 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA14 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Small Signal Bipolar Transistor |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。