參數(shù)資料
型號： MMBT8099LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistor NPN Silicon
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： MMBT8099LT1G
MMBT8099LT1
http://onsemi.com
4
Figure 6. DC Current Gain
Figure 7. “ON” Voltages
2.0
0.2
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
200
100
80
60
40
10
,
hF
T
J
= 125
°
C
10
200
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
T
J
= 25
°
C
V
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
3.0 5.0
V
CE
= 5.0 V
20
100
30
50
200
25
°
C
55
°
C
0.2
2.0
20
50
0.3 0.5
0.5
5.0
Figure 8. Collector Saturation Region
Figure 9. BaseEmitter Temperature Coefficient
100
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
I
B
, BASE CURRENT (mA)
RV
10
R
VB
FOR V
BE
°
,
VC
1.0
2.0
5.0
20
50
200
0.2
55
°
C TO 125
°
C
0.1
10
0.05
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.0
T
J
= 25
°
C
I
C
=
100 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
200 mA
I
C
=
20 mA
I
C
=
10 mA
20
2.0
5.0
0.2
0.5
0.02
Figure 10. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k 100 k
0.03
0.02
0.1
0.07
0.05
0.01
0.3
0.2
1.0
0.7
0.5
r
T
Z
JC
(t) = r(t)
R
JC
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
Z
JC
(t)
Z
JA
(t) = r(t)
R
JA
T
J(pk)
T
A
= P
(pk)
Z
JA
(t)
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t
1
(SEE AN469)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
P
(pk)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
SINGLE PULSE
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PDF描述
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MMBT918LT1 NPN transistor
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參數(shù)描述
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MMBT918_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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