參數(shù)資料
型號： MMBT8099LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistor NPN Silicon
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： MMBT8099LT1G
MMBT8099LT1
http://onsemi.com
3
Figure 1. Switching Time Test Circuits
OUTPUT
TURNON TIME
1.0 V
V
CC
+40 V
R
L
* C
S
6.0 pF
R
B
100
100
V
in
5.0 F
t
r
= 3.0 ns
0
+10 V
5.0 s
OUTPUT
TURNOFF TIME
+V
BB
V
CC
+40 V
R
L
* C
S
6.0 pF
R
B
100
100
V
in
5.0 F
t
r
= 3.0 ns
5.0 s
*Total Shunt Capacitance of Test Jig and Connectors
For PNP Test Circuits, Reverse All Voltage Polarities
Figure 2. CurrentGain Bandwidth Product
Figure 3. Capacitance
Figure 4. Switching Times
100
2.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
100
70
50
30
10
100
0.1
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
40
20
10
8.0
6.0
20
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
fT
50
1.0
2.0
5.0
0.2
0.5
4.0
2.0
C
ibo
C
obo
20
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
200
100
70
50
20
10
100
t
50
200
1.0 k
700
500
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
s
t
f
t
r
30
300
30
70
t
d
@ V
BE(off)
= 0.5 V
C
1.0
V
CE
= 1.0 V
5.0 V
Figure 5. ActiveRegion Safe Operating Area
10
1.0
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
500
200
100
70
50
20
10
30
IC
2.0
5.0
50
1.0 k
700
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
100
70
20
3.0
7.0
300
30
DUTY CYCLE
≤
10%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT918LT1G VHF/UHF Transistor NPN Silicon
MMBT918LT1 NPN transistor
MMBTA13LT1G Darlington Amplifier Transistors
MMBTA14LT1G Darlington Amplifier Transistors
MMBTA14LT1 Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon(NPN型達(dá)林頓放大器晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBT918 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBT918_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT918LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 15V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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