參數(shù)資料
型號: MMBF2201PT1
廠商: Motorola, Inc.
英文描述: LOW RDS SMALL SIGNAL MOSFETS TMOS SINGLE P CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS
中文描述: 低RDS小訊號MOSFET TMOS是單P通道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 5/6頁
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代理商: MMBF2201PT1
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 419–02
SC–70/SOT–323
ISSUE E
C
R
N
A
L
D
G
V
S
B
H
J
K
3
1
2
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
R
S
V
MIN
0.071
0.045
0.035
0.012
0.047
0.000
0.004
0.017 REF
0.026 BSC
0.028 REF
0.031
0.079
0.012
MAX
0.087
0.053
0.049
0.016
0.055
0.004
0.010
MIN
1.80
1.15
0.90
0.30
1.20
0.00
0.10
0.425 REF
0.650 BSC
0.700 REF
0.80
2.00
0.30
MAX
2.20
1.35
1.25
0.40
1.40
0.10
0.25
MILLIMETERS
INCHES
0.039
0.087
0.016
1.00
2.20
0.40
0.05 (0.002)
STYLE 7:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. COLLECTOR
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PDF描述
MMBF2202PT1 P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET
MMBF2202PT3 LOW RDS SMALL SIGNAL MOSFETS TMOS SINGLE P CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS
MMBF4391LT1 JFET Switching Transistors
MMBF4391LT1 JFET Switching Transistors
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參數(shù)描述
MMBF2202PT1 功能描述:MOSFET 20V 300mA P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMBF2202PT1_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts P-Channel SC-70/SOT-323
MMBF2202PT1G 功能描述:MOSFET 20V 300mA P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMBF2202PT3 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:LOW RDS SMALL SIGNAL MOSFETS TMOS SINGLE P CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTORS
MMBF4091 功能描述:JFET N-Channel Switch RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel