參數(shù)資料
型號： MMBD717LT1D
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Common Anode Schottky Barrier Diodes
中文描述： 共陽極肖特基二極管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： MMBD717LT1D
5–2
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
25
°
C
125
°
C
85
°
C
TA = 150
°
C
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA.
Notes:
2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA.
Notes:
3. tp trr
+10 V
2 k
820
0.1
μ
F
DUT
VR
100
μ
H
0.1
μ
F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC) = 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 10 mA; measured
at iR(REC) = 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
0
0.05
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Typical Forward Voltage
0.1
10
1.0
0.1
85
°
C
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
1.0
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.5
0
C
2.0
4.0
I
Figure 3. Reverse Current versus Reverse
Voltage
Figure 4. Typical Capacitance
–40
°
C
25
°
C
I
μ
A
–55
°
C
150
°
C
125
°
C
100
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
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PDF描述
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參數(shù)描述
MMBD717LT1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 20V 200mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MMBD717S 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
MMBD717S-T1 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
MMBD717SW 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMMON ANODE SCHOTTKY BARRIER DIODES
MMBD717SW-T1 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
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