參數(shù)資料
型號: MMBD352WT1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: Dual Schottky Barrier Diode
中文描述: 雙肖特基二極管
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 41K
代理商: MMBD352WT1
MMBD352LT1 MMBD353LT1 MMBD354LT1 MMBD355LT1
http://onsemi.com
2
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 2. Capacitance
I
F
0.7
0.8
0.3
0.4
0.5
0.6
,
TA = 85
°
C
TA = -40
°
C
TA = 25
°
C
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
1.0
0.9
0.8
0.6
0.7
1.0
2.0
3.0
4.0
C
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MMBD352WT1_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Schottky Barrier Diode
MMBD352WT1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MMBD353 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE
MMBD353LT1 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
MMBD353LT1G 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel