參數(shù)資料
型號(hào)： MJF6668
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 10 AMPERES 100 VOLTS 40 WATTS
中文描述： 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 338K
代理商： MJF6668
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.3
Figure 2. Switching Times Test Circuit
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
0.1
10
0.5
2
5
5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t
μ
1
0.2
0.1
0.07
7
Figure 3. Typical Switching Times
ts
0.3
3
0.2
1
0.7
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
0.1
0.7
10
0.5
0.3
2
5
5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t
μ
1
0.2
0.1
7
3
0.2
1
10
0.7
0.5
3
7
NPN
MJF6388
PNP
MJF6668
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Maximum Forward Bias
Safe Operating Area
1
20
0.3
0.2
30
CURRENT LIMIT
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
THERMAL LIMIT @ TC = 25
°
C
(SINGLE PULSE)
I
0.02
2
3
50
3
2
0.05
0.03
10
dc
TJ = 150
°
C
1 ms
5 ms
100
μ
s
5
0.1
5
100
20
2
10
0.5
1
≈
120
≈
8 k
V1
APPROX.
+12 V
V2
APPROX.
–8 V
25
μ
s
RB
51
D1
–4 V
VCC
+30 V
RC
SCOPE
TUT
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1%
FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED
AND V2 = 0
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES.
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.,
MUR110 USED ABOVE IB
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW IB
≈
100 mA
tf
tr
td
tr
ts
td
tf
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJH16018 NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1.5KV SWITCHMODE III SERIES
MKP3V110 SIDACs 1 AMPERE RMS 100 thru 135 VOLTS
MKP3V120 Sidac High Voltage Bidirectional Triggers
MKP3V120RL Sidac High Voltage Bidirectional Triggers
MKP3V130 SIDACs 1 AMPERE RMS 100 thru 135 VOLTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJF6668G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJH10012 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MJH11017 功能描述:達(dá)林頓晶體管 15A 150V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJH11017_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150−250 VOLTS, 150 WATTS
MJH11017G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 15A 150V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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