參數(shù)資料
型號： MJF6668
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS
中文描述： 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221D-03, TO-220, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 338K
代理商： MJF6668
6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN
MJF6388
PNP
MJF6668
0.1
V
θ
°
10–1
0
+0.4
–0.2 –0.4
–0.6
+0.6
+0.2
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
–0.8
–1
–1.2 –1.4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0
*IC/IB
≤
hFE/3
–5
104
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10–1
0
– 0.4
,
I
μ
103
102
101
100
+0.2 +0.4 +0.6
TJ = 150
°
C
100
°
C
REVERSE
FORWARD
25
°
C
–0.2
VCE = 30 V
105
–0.6
+0.8
+1
+1.2
+1.4
104
,
I
μ
103
102
101
100
TJ = 150
°
C
100
°
C
REVERSE
FORWARD
25
°
C
VCE = 30 V
105
–4
–3
–2
–1
θ
VB for VBE
25
°
C to 150
°
C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 11. Typical “On” Voltages
Figure 12. Typical Temperature Coefficients
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
1.5
V
3
2.5
1
0.5
0.2
0.5
5
0.3
1
0.7
3
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
1.5
V
3
2.5
1
0.5
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
θ
°
7
2
0.1
0.2
0.5
5
0.3
1
0.7
3
10
7
2
0.2
0.5
5
0.3
1
0.7
3
10
7
2
0.1
0.2
0.5
5
0.3
1
3
10
7
2
+1
+2
+3
+4
+5
0
–5
–4
–3
–2
–1
+1
+2
+3
+4
+5
–55
°
C to 25
°
C
*IC/IB
≤
hFE/3
Figure 13. Typical Collector Cut–Off Region
0.7
25
°
C to 150
°
C
–55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 150
°
C
–55
°
C to 25
°
C
*
θ
VC for VCE(sat)
*
θ
VC for VCE(sat)
θ
VB for VBE
25
°
C to 150
°
C
–55
°
C to 25
°
C
相關PDF資料
PDF描述
MJF6668 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 10 AMPERES 100 VOLTS 40 WATTS
MJH16018 NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1.5KV SWITCHMODE III SERIES
MKP3V110 SIDACs 1 AMPERE RMS 100 thru 135 VOLTS
MKP3V120 Sidac High Voltage Bidirectional Triggers
MKP3V120RL Sidac High Voltage Bidirectional Triggers
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJF6668G 功能描述:達林頓晶體管 10A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJH10012 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MJH11017 功能描述:達林頓晶體管 15A 150V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJH11017_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150−250 VOLTS, 150 WATTS
MJH11017G 功能描述:達林頓晶體管 15A 150V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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