參數(shù)資料
型號(hào)： MJF6388
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Power Darlingtons(互補(bǔ)型功率晶體管)
中文描述： 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221D-03, TO-220, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 111K
代理商： MJF6388
MJF6388 (NPN), MJF6668 (PNP)
http://onsemi.com
3
0.3
Figure 2. Switching Times Test Circuit
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
0.1
10
0.5
2
5
5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t
1
0.2
0.1
0.07
7
Figure 3. Typical Switching Times
t
s
0.3
3
0.2
1
0.7
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 250
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
0.1
0.7
10
0.5
0.3
2
5
5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t
1
0.2
0.1
7
3
0.2
1
10
0.7
0.5
3
7
NPN
MJF6388
PNP
MJF6668
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Maximum Forward Bias
Safe Operating Area
1
20
0.3
0.2
30
CURRENT LIMIT
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
THERMAL LIMIT @ T
C
= 25
°
C
(SINGLE PULSE)
I
0.02
2
3
50
3
2
0.05
0.03
10
dc
T
J
= 150
°
C
1ms
5 ms
100 s
5
0.1
5
100
20
2
10
0.5
1
≈
120
≈
8 k
V
1
APPROX.
+12 V
V
2
APPROX.
8 V
25 s
R
B
51
D
1
4 V
V
CC
+30 V
R
C
SCOPE
TUT
t
r
, t
f
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1%
FOR t
d
AND t
r
, D
1
IS DISCONNECTED
AND V
2
= 0
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES.
R
B
& R
C
VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D
1
, MUST BE FAST RECOVERY TYPES, e.g.,
MUR110 USED ABOVE I
B
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW I
B
≈
100 mA
t
f
t
r
t
d
t
r
t
s
t
d
t
f
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PDF描述
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MJF6388G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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MJF6668G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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