參數(shù)資料
型號： MJE253
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 15 WATTS
中文描述： 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： MJE253
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Min
Max
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(VCE = 100 Vdc, IE = 0, TC = 125 C)
VCEO(sus)
100
—
Vdc
Emitter Cutoff Current (VBE = 7.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
—
0.1
0.1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
hFE
—
(IC = 500 mAdc, IB = 50 mAdc)
—
0.3
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
Output Capacitance
Cob
40
—
—
50
MHz
pF
Figure 2. Switching Time Test Circuit
+11 V
25
μ
s
0
–9.0 V
RB
–4 V
D1
SCOPE
VCC
+30 V
RC
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
51
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE IB
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW IB
≈
100 mA
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES
1K
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VCC = 30 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
t
500
300
200
100
50
30
20
td
10
5
3
2
1
0.01
0.03 0.05
0.5
0.2
0.1
0.3
10
Figure 3. Turn–On Time
5
2
1
3
tr
NPN MJE243
PNP MJE253
0.02
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PDF描述
MJE243 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
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MJE2955T 10 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 VOLTS 75 WATTS
MJE2955T COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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