參數(shù)資料
型號(hào)： MJE1320
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 900 VOLTS 80 WATTS
中文描述： 2 A, 900 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： MJE1320
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
trv
t
μ
f
Figure 7. Inductive Switching Measurements
TIME
VCE
90% IB1
tsv
IC pk
VCE(pk)
90% VCE(pk)
10% VCE(pk)
10%
IC pk
2% IC
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 8. Inductive Storage Time
10
7
5
2
0.5
0.7
VBE(off) = 1 V
TJ = 100
°
C
IC/IB1 = 2
1
3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 9. Inductive Crossover Time
0.5
0.7
1
2
6
5
3
2
1
0.7
0.3
0.3
5
0.5
6
Figure 10. Inductive Fall Time
6
5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3
2
1
0.7
0.3
0.5
3
0.5
0.7
1
2
6
0.3
5
3
0.5
0.7
1
2
6
0.3
5
3
2 V
,
t
μ
s
C
μ
90% IC(pk)
tfi
IC
IB
tti
tc
3 V
VBE(off) = 3 V
2 V
1 V
VBE(off) = 3 V
2 V
1 V
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
Table 1. Resistive Load Switching
td and tr
ts and tf
Note: Adjust – V to obtain desired VBE(off) at Point A.
VCC = 250 Vdc
RL = 250
IC = 1 Adc
IB = 0.5 Adc
*Tektronix AM503
*
P6302 or Equivalent
VCC = 250 Vdc
RL = 250
IC = 1 Adc
IB1 = 0.5 Adc
IB2 = 0.5 Adc
For VBE(off) = 5 V
RB1 = 22
RB2 = 10
RB2 = 0
H.P. 214
OR EQUIV.
P.G.
50
RB = 22
*IB
*IC
T.U.T.
RL
VCC
Vin
0 V
≈
11 V
tr
≤
15 ns
0 V
≈
–35 V
H.P. 214
OR EQUIV.
P.G.
20
0.02
μ
F
100
10
μ
F
+
0.02
μ
F
50
500
1
μ
F100
RB1
RB2
A
+Vdc
≈
11 Vdc
2N6191
2N5337
–V
+V
0 V
–5 V
A
50
*IB
*IC
RL
VCC
T.U.T.
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PDF描述
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