參數(shù)資料
型號(hào)： MJD50
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Power Transistors(高電壓功率晶體管)
中文描述： 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 70K
代理商： MJD50
MJD47, MJD50
http://onsemi.com
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= 25
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= 200 V
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Figure 8. Turn-Off Time
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= 200 V
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ORDERING INFORMATION
Device
Package
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MJD47
369C
75 Units / Rail
MJD47G
369C
(PbFree)
MJD47T4
369C
2500 / Tape & Reel
MJD47T4G
369C
(PbFree)
MJD50
369C
75 Units / Rail
MJD50G
369C
(PbFree)
MJD50T4
369C
2500 / Tape & Reel
MJD50T4G
369C
(PbFree)
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
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