參數(shù)資料
型號(hào)： MJD50
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Power Transistors(高電壓功率晶體管)
中文描述： 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： MJD50
MJD47, MJD50
http://onsemi.com
2
C
OFF CHARACTERISTICS
MJD50
(I
C
= 30 mAdc, I
B
= 0)
CEO(sus)
400
Collector Cutoff Current
CE
B
I
CEO
0.2
mAdc
(V
CE
= 350 Vdc, V
BE
= 0)
CE
BE
0.1
Emitter Cutoff Current
I
EBO
1
mAdc
(I
C
= 0.3 Adc, V
CE
= 10 Vdc)
C
CE
30
CollectorEmitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
1
Vdc
(I
= 1 Adc, V
= 10 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product
C
CE
SmallSignal Current Gain
h
fe
25
25
25
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit
APPROX
+11 V
R
B
4 V
t
1
SCOPE
V
CC
R
C
51
R
B
and R
C
VARIED TO OBTAIN
DESIRED CURRENT LEVELS.
2.5
0
2
1.5
1
0.5
T
A
T
C
T
C
DUTY CYCLE
≈
2%
APPROX 9 V
t
1
≤
7 ns
10 < t
2
< 500 s
t
3
< 15 ns
V
in
0
C
jd
<< C
eb
V
in
t
2
t
3
APPROX
+11 V
V
in
TURNON PULSE
T
A
(SURFACE MOUNT)
V
EB(off)
TURNOFF PULSE
TYPICAL CHARACTERISTICS
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MJD50T4 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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