- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄98015 > MJD32-1 (ON SEMICONDUCTOR) 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJD32-1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 369-07, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 58/61頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 394K |
| 代理商： | MJD32-1 |
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Replacement
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Part Number
Motorola
Nearest
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Motorola
Similar
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1–31
Index and Cross Reference
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
INDEX AND CROSS REFERENCE (continued)
TIP73B
2N6488
3–132
TIP74
2N6490
3–132
TIP74A
2N6490
3–132
TIP74B
2N6491
3–132
TIP75
MJE13005
3–661
TIP75A
MJE13005
3–661
TIP75B
MJE13005
3–661
TIP75C
MJE13005
3–661
TIPL752
MJE16106
3–696
TIPL752A
MJE16106
3–696
TIPL753
MJE16106
3–696
TIPL753A
MJE16106
3–696
TIPL755
MJ16110
3–529
TIPL755A
MJ16010
3–512
TIPL760
MJE16002
3–688
TIPL760A
MJE16002
3–688
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MJE13005BU | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005BD | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005AN | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005AJ | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005AF | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD32B | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJD32BT4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32BTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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