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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJD32-1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 369-07, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 394K |
| 代理商： | MJD32-1 |
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MJD31,C MJD32,C
3–544
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.03
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
0.07
0.3
3
70
30
300
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
VCE = 2 V
TJ = 150°C
100
0.1
0.7
25
°C
–55
°C
50
0.05
0.5
1
25
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P
D
,POWER
D
ISSIP
A
T
ION
(W
A
TT
S
)
Figure 2. Switching Time Test Circuit
Figure 3. DC Current Gain
3
0.03
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
0.5 0.7
3
IB1 = IB2
IC/IB = 10
ts′ = ts – 1/8 tf
TJ = 25°C
t,TIME
(
s)
0.3
2
1
0.7
0.5
0.3
ts′
0.2
0.1
0.07
0.05
12
Figure 4. Turn–On Time
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.02
IC/IB = 10
TJ = 25°C
t,TIME
(
s)
1
0.7
0.5
0.3
0.1
0.07
0.05
0.03
0.003
Figure 5. “On” Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.4
1.2
0.4
0
+11 V
25
s
0
–9 V
RB
–4 V
D1
SCOPE
VCC
+ 30 V
RC
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1%
51
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
REVERSE ALL POLARITIES FOR PNP.
500
7
10
0.03
0.07
0.3
3
0.1
0.7
0.05
0.5
1
tr @ VCC = 30 V
tr @ VCC = 10 V
td @ VBE(off) = 2 V
0.6
0.2
0.005
0.01 0.02 0.03 0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
3
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 2 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
tf @ VCC = 30 V
tf @ VCC = 10 V
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TA TC
Figure 6. Turn–Off Time
TA (SURFACE MOUNT)
TC
TYPICAL CHARACTERISTICS
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MJD32BTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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