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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJD13003 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 369A-13, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大小： | 133K |
| 代理商： | MJD13003 |
MJD13003
http://onsemi.com
3
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS
)
0.02
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.35
0.3
0.2
1.4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.2
1
0.8
0.6
0.02
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
4
0.05
0.1
0.7
2
10
Figure 2. Collector Saturation Region
0.01
IB, BASE CURRENT (AMP)
0.02
0.05
1.2
0.4
0
80
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 2 V
VCE = 5 V
0.1
0.2
0.5
1
Figure 3. Base–Emitter Voltage
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Region
Figure 5. Collector Cutoff Region
2
0.8
104
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10-1
0
TJ = 25°C
TJ = 150°C
20
0.07
0.3
-0.4
Figure 6. Capacitance
500
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Cib
0.1
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
0.05
103
102
101
100
-0.2
+0.2
+0.4
+0.6
REVERSE
FORWARD
VCE = 250 V
70
10
2
20
500 1000
1.6
0.005
0.002
0.4
0
0.1
25°C
-55°C
0.3 A
IC = 0.1 A
TJ = -55°C
6
0.03
0.2
0.5
1
2
0.03
0.1
0.7
0.07
2
0.02
0.05
0.3
0.2
0.5
1
0.15
0.25
60
40
30
8
1 A
VBE(sat) @ IC/IB = 3
VBE(on) @ VCE = 2 V
300
200
100
50
5
7
20
30
200
100
50
10
5
1
0.5
0.2
150°C
0.03
0.1
0.7
0.07
2
0.05
0.3
0.2
0.5
1
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC/IB = 3
0.5 A
1.5 A
25°C
TJ = -55°C
150°C
25°C
Cob
TJ = 25°C
25°C
TJ = 150°C
125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD13003T4 | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD18002D2-1 | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD32-1 | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005BU | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005BD | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD148 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistor |
| MJD148_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistor |
| MJD148T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD148T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD18002D2 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor |
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