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參數(shù)資料
| 型號： | MJD13003 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | CASE 369A-13, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 133K |
| 代理商： | MJD13003 |
MJD13003
http://onsemi.com
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Notes
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD13003T4 | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD18002D2-1 | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD32-1 | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005BU | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13005BD | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD148 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistor |
| MJD148_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Transistor |
| MJD148T4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD148T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 45V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD18002D2 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor |
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