參數(shù)資料
型號： MJD122
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
中文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： MJD122
6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Figure 13. Darlington Schematic
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8 k
≈
120
PNP
BASE
EMITTER
COLLECTOR
≈
8 k
≈
120
NPN
相關PDF資料
PDF描述
MJD122 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD122-1 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD122T4 COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJD122 Complementary Darlington Power Transistors
MJD122-1 SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJD122_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor
MJD122_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:nullLow voltage power Darlington transistor
MJD122_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Darlington Transistor
MJD122_11 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor
MJD122-1 功能描述:達林頓晶體管 NPN PWR Darlington Int Anti Collector RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*