參數(shù)資料
型號： MJD122
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
中文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： MJD122
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
500
0.2
5000
2000
10,000
h
0.1
0.7
3000
0.5
1
20,000
1000
2
3
5
3
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.3
0.5
1
7
3
5
2
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
1.5
V
3
2.5
1
0.5
0.2
3
0.1
0.7
0.3
1
5
10
20
30
200
300
0.3
7
10
0.7
0.5
7
2
10
PNP MJD127
NPN MJD122
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
500
0.2
5000
2000
10,000
7000
h
VCE = 4 V
TJ = 150
°
C
0.1
0.7
25
°
C
–55
°
C
3000
0.5
1
20,000
700
1000
2
3
5
3
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.3
0.5
1
7
3
5
4 A
IC = 2 A
2
TJ = 25
°
C
1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2
1.5
V
3
2.5
1
0.5
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.2
3
0.1
0.7
0.3
1
5
10
20
30
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. “On” Voltages
200
300
0.3
7
10
0.7
0.5
7
2
10
6 A
VCE = 4 V
TJ = 150
°
C
25
°
C
–55
°
C
TJ = 25
°
C
4 A
IC = 2 A
6 A
TJ = 25
°
C
VBE @ VCE = 4 V
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
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