參數(shù)資料
型號(hào)： MJD122
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT
中文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 284K
代理商： MJD122
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS — continued
Symbol
Min
Max
Unit
Collector Cutoff Current
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
ICEX
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
—
2
mAdc
ON CHARACTERISTICS
(IC = 4 Adc, IB = 16 mAdc)
100
—
—
2
Base–Emitter Saturation Voltage (1)
VBE(sat)
—
4.5
Vdc
Current–Gain–Bandwidth Product
(IC = 3 Adc, VCE = 4 Vdc, f = 1 MHz)
Output Capacitance
Cob
4
—
MHz
pF
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2%.
Figure 1. Power Derating
25
25
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TA
TC
TA
SURFACE
MOUNT
TC
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PDF描述
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