參數(shù)資料
型號： MIC5021BN
廠商： MICREL INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Replaced by PTN78060W :
中文描述： BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDIP8
封裝： PLASTIC, DIP-8
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： MIC5021BN
MIC5021
Typical Characteristics
Micrel
5-172
October 1998
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
5
10
15
20
25
30
35
40
I
S
V
SUPPLY
(V)
Supply Current vs.
Supply Voltage
V
IN
= 0V
V
IN
= 5V
650
700
750
800
850
900
5
10
15
20
25
30
35
40
t
O
V
SUPPLY
(V)
Gate Turn-On Delay vs.
Supply Voltage
V
GATE
= V
SUPPLY
+ 4V
C
L
C
BOOST
= 0.01
μ
F
INCLUDES PROPAGATION DELAY
750
800
850
900
950
1000
5
10
15
20
25
30
35
40
t
O
V
SUPPLY
(V)
Gate Turn-On Delay vs.
Supply Voltage
V
GATE
= V
SUPPLY
+ 10V
C
L
C
BOOST
= 0.01
μ
F
INCLUDES PROPAGATION DELAY
0.0
1x10
0
1x10
1
1x10
2
1x10
3
1x10
4
1x10
5
C
GATE
(pF)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
t
O
μ
s
Gate Turn-On Delay vs.
Gate Capacitance
V
GATE
= V
+ 4V
V
SUPPLY
= 12V
INCLUDES PROPAGATION DELAY
750
1000
1250
1500
1750
2000
5
10
15
20
25
30
35
40
t
O
V
SUPPLY
(V)
Gate Turn-Off Delay vs.
Supply Voltage
V
GATE
= V
SUPPLY
+ 4V
R
L
= 400
INCLUDES PROPAGATION DELAY
C
= 1500pF
(IRCZ34)
0
0.1
5
10
15
20
25
1
10
100
1000 10000
R
C
T
(pF)
NOTE:
t
, t
TIME
INDEPENDENT
OF V
SUPPLY
Overcurrent Retry Duty
Cycle vs. Timing Capacitance
t
ON
= 5
μ
s
V
SUPPLY
= 12V
0
5
10
15
20
25
5
10
15
20
25
30
35
40
V
G
V
SUPPLY
(V)
Gate Voltage Change
vs. Supply Voltage
V
GATE
= V
GATE
– V
SUPPLY
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
I
I
μ
A
V
IN
(V)
Input Current vs.
Input Voltage
V
SUPPLY
= 12V
Timing Diagram 2. Fault Condition, C
T
= Open
Timing Diagram 3. Fault Condition, C
T
= Grounded
Input
0V
TTL (H)
Source
50mV
Sense +, –
Differential
Gate
0V
15V (max.)
6μs
20μs
Input
0V
TTL (H)
Source
50mV
Sense +, –
Differential
Gate
0V
15V (max.)
6μs
Input
0V
TTL (H)
Source
50mV
Sense +, –
Differential
Gate
0V
15V (max.)
Timing Diagram 1. Normal Operation
20
30
40
50
60
70
80
-60 -30
0
30
60
90 120 150
V
TEMPERATURE (
°
C)
Sense Threshold vs.
Temperature
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PDF描述
MIC5031 High-Speed High-Side MOSFET Driver(高速高邊MOS場效應(yīng)管驅(qū)動器)
MIC5031BM High-Speed High-Side MOSFET Driver
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MIC50398CN Replaced by PTN78060W,PTN78060H :
MIC50399CN Replaced by PTN78060W,PTN78060H :
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參數(shù)描述
MIC5021YM 功能描述:功率驅(qū)動器IC High Speed High Side MOSFET Driver - Lead Free RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
MIC5021YM TR 功能描述:功率驅(qū)動器IC High Speed High Side MOSFET Driver - Lead Free RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
MIC5021YM 制造商:Micrel Inc 功能描述:Temperature Sensor IC 制造商:Micrel Inc 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, HIGH SIDE, SOIC-8
MIC5021YM-TR 功能描述:IC DRIVER MOSFET HISIDE HS 8SOIC 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 驅(qū)動配置:高壓側(cè) 通道類型:單路 驅(qū)動器數(shù):1 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:12 V ~ 36 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:0.8V，2V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:- 輸入類型:非反相 高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:- 上升/下降時間（典型值）:400ns，400ns 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MIC5021YN 功能描述:功率驅(qū)動器IC High Speed High Side MOSFET Driver - Lead Free RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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