參數(shù)資料
型號： MHV5IC1810NR2
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁數(shù)： 7/16頁
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代理商： MHV5IC1810NR2
MHV5IC1810NR2
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — 1930-1990 MHz
10
47
0
P3dB = 42.5 dBm (17.78 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ1
= 120 mA, I
DQ2
= 90 mA
Pulsed CW, 12
μ
sec(on), 1% Duty Cycle
f = 1960 MHz
35
2
4
8
6
Actual
Ideal
45
41
43
39
2
Figure 9. Pulse CW Output Power versus Input
Power
P
o
,
37
P1dB = 42 dBm (15.85 W)
100
24
36
0.1
0
60
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ1
= 120 mA
I
DQ2
= 90 mA, f = 1960 MHz
T
C
= 30 C
25 C
85 C
30 C
25 C
85 C
10
1
34
32
30
28
26
50
40
30
20
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Power Added
Efficiency versus CW Output Power
G
p
,
P
PAE
G
ps
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain versus Output Power
16 V
I
DQ1
= 120 mA
I
DQ2
= 90 mA
f = 1960 MHz
V
DD
= 12 V
20 V
24
10
34
32
0
8
24
22
20
28
2
4
6
G
p
,
2000
26
1800
T
C
= 30 C
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 1 W Avg., I
DQ1
= 120 mA, I
DQ2
= 90 mA
TwoTone Measurements, Center Frequency = 1960 MHz
25 C
85 C
32
30
28
27
1850
1900
1950
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 12. Power Gain versus Frequency
G
p
,
30
26
18
16
14
12
14
10
12
20
16
18
22
24 V
28 V
32 V
33
31
29
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PDF描述
MHV5IC2215NR2_07 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHV5IC2215NR2 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHVIC2114NR2 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHVIC2115NR2 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHVIC910HNR2 921 MHz-960 MHz SiFET RF Integrated Power Amplifier
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參數(shù)描述
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MHVIC2114R2 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
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