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參數(shù)資料
| 型號： | MHV5IC1810NR2 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier |
| 中文描述： | 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 12/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 401K |
| 代理商： | MHV5IC1810NR2 |
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MHV5IC1810NR2
Z
o
= 50
Ω
Z
load
f = 1800 MHz
Z
in
f = 2000 MHz
f = 1800 MHz
f = 2000 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ1
= 120 mA, I
DQ2
= 90 mA,P
out
= 5 W Avg.
f
MHz
1800
43.82 + j6.83
1820
43.67 + j7.10
1840
43.50 + j7.34
1860
43.31 + j7.55
1880
43.13 + j7.76
1900
42.96 + j7.96
1920
42.76 + j8.15
1940
42.56 + j8.34
1960
42.36 + j8.50
1980
42.16 + j8.65
2000
41.97 + j8.79
Z
in
Z
load
3.49 + j8.58
3.43 + j8.96
3.36 + j9.33
3.31 + j9.68
3.24 + j10.04
3.19 + j10.38
3.14 + j10.72
3.07 + j11.03
3.04 + j11.36
2.99 + j11.65
2.94 + j11.94
Z
in
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 21. Series Equivalent Input and Load Impedance
Zin
Zload
Device
Under Test
Output
Matching
Network
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