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參數(shù)資料
| 型號： | MGSF3441V |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP-6 |
| 文件頁數(shù)： | 30/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 358K |
| 代理商： | MGSF3441V |
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MGSF3441VT1
4–36
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Source–Drain Diode Forward Voltage
Figure 8. On–Resistance versus
Gate–to–Source Voltage
Figure 9. Threshold Voltage
Figure 10. Single Pulse Power
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance, Junction–to–Ambient
0.75
0
VSD, SOURCE–TO–DRAIN VOLTAGE (V)
20
10
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (V)
0
0.12
0.06
0
–50
TJ, TEMPERATURE (°C)
0.4
0.3
0.2
0.1
0
–0.1
TIME (sec)
0.1
0.01
20
16
12
8.0
0
150
I S
,SOURCE
CURRENT
(A)
V
POWER
(W)
1.0
0.25
0.50
1.00
1.25
2.0
4.0
6.0
8.0
0.18
0.24
0.30
–25
0
25
50
1.0
10
,V
ARIANCE
(V)
GS(th)
4.0
1.50
TJ = 150°C
TJ = 25°C
R
,ON–RESIST
ANCE
(
)W
DS(on)
ID = 3.3 A
–0.2
75
100
125
ID = 250 mA
SQUARE WAVE PULSE DURATION (sec)
0.0001
0.01
0.1
1.0
10
30
0.1
0.01
2.0
1.0
NORMALIZED
EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
IMPEDANCE
0.001
1. DUTY CYCLE, D = t1/t2
2. PER UNIT BASE =
2. RthJA = 62.5°C/W
3. TJM – TA = PDMZthJA(t)
4. SURFACE MOUNTED
PDM
t1
t2
NOTES:
SINGLE PULSE
DUTY CYCLE = 0.5
0.02
0.05
0.1
0.2
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