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參數(shù)資料
| 型號： | MGSF3441V |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 3300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP-6 |
| 文件頁數(shù)： | 23/35頁 |
| 文件大小： | 358K |
| 代理商： | MGSF3441V |
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MGSF3441VT1
4–35
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Output Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
Figure 4. Capacitance
Figure 5. Gate Charge
Figure 6. On–Resistance versus Junction
Temperature
3.0
0
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (V)
20
16
8.0
12
VGS, GATE–TO–SOURCE VOLTAGE (V)
0
8.0
4.0
0
ID, DRAIN CURRENT (A)
0.30
0.24
0.18
0.12
0.06
0
VDS, DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (V)
4.0
0
1400
1200
1000
800
600
0
8.0
20
4.0
0
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
5.0
3.0
2.0
1.0
0
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
–25
100
–50
1.8
1.6
1.2
1.0
0.8
0.6
50
2.0
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
I
R
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
4.0
0
1.0
2.0
4.0
5.0
1.0
2.0
3.0
4.0
12
16
20
4.0
8.0
12
16
12
16
20
,GA
TE–T
O–SOURCE
VOL
TAGE
(V)
V
GS
6.0
10
8.0
4.0
0
25
125
150
75
,DRAIN
CURRENT
(A)
D
,ON–RESIST
ANCE
(
)W
DS(on)
400
200
R
,ON–RESIST
ANCE
(
)
(NORMALIZED)
W
DS(on)
1.4
VGS = 4.5 V
4.0 V
3.5 V
3.0 V
2.5 V
1.5 V
2.0 V
VGS = 2.5 V
VGS = 4.5 V
VDS = 10 V
ID = 3.3 A
VGS = 4.5 V
ID = 3.3 A
Ciss
Coss
Crss
TC = –55°C
125
°C
25
°C
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