參數(shù)資料
型號： MGB15N40CL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts(15A，410V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
中文描述： 點(diǎn)火IGBT15安培，410伏特，（第15A，410V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（采用D2PAK封裝））
文件頁數(shù)： 7/12頁
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代理商： MGB15N40CL
MGP15N40CL, MGB15N40CL
http://onsemi.com
7
4
″
1.5
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4
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4
″
0.125
″
Figure 16. Test Fixture for Transient Thermal Curve
(48 square inches of 1/8 thick aluminum)
100
10
0.1
1
0.01
Figure 17. Single Pulse Safe Operating Area
(Mounted on an Infinite Heatsink at TC = 25 C)
COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Single Pulse Safe Operating Area
(Mounted on an Infinite Heatsink at TC = 125 C)
COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
C
C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
MGB19N35CL Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（D2PAK封裝）)
MGP19N35CL Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A，350V鉗位電壓，點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管（TO-220封裝）)
MGP4N60ED Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode
MGSF1P02LT1 Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P-Channel(750mA，20V，P溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
MGSF2N02E 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MGB15N40CLT4 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
MGB19N35CL 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK
MGB19N35CLT4 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK
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MGB20D 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:DOT POINT í 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMP
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