型號(hào): | MGB15N40CL |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
英文描述: | Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts(15A,410V鉗位電壓,點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管(D2PAK封裝)) |
中文描述: | 點(diǎn)火IGBT15安培,410伏特,(第15A,410V鉗位電壓,點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管(采用D2PAK封裝)) |
文件頁(yè)數(shù): | 2/12頁(yè) |
文件大?。?/td> | 73K |
代理商: | MGB15N40CL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MGB19N35CL | Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A,350V鉗位電壓,點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管(D2PAK封裝)) |
MGP19N35CL | Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts(19A,350V鉗位電壓,點(diǎn)火絕緣柵雙極型晶體管(TO-220封裝)) |
MGP4N60ED | Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode |
MGSF1P02LT1 | Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts P-Channel(750mA,20V,P溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
MGSF2N02E | 2.8 Amps, 20 Volts, N−Channel SOT−23 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MGB15N40CLT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
MGB19N35CL | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK |
MGB19N35CLT4 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK |
MGB20 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:DOT POINT í 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMP |
MGB20D | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:DOT POINT í 2.0mm HIGH EFFICIENCY LED LAMP |