參數(shù)資料
型號(hào)： MGA-412P8-TR2G
廠商： Avago Technologies Ltd.
英文描述： GaAs Enhancement-mode pHEMT Power Amplifier optimized for IEEE 802.11b/g applications
中文描述： GaAs增強(qiáng)模式pHEMT功率放大器優(yōu)化的IEEE 802.11b / g應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： MGA-412P8-TR2G
5
Schematic Diagram
Figure 5. Demo Board Schematic Diagram
TLIN
TL1
C
C7
C=2.2 uF
C
C6
C=0.1 uF
L
L4
L=18 nH
C
C8
C=1000 pF
C
C4
C=6.8 pF
C
C2
C=1.5 pF
C
C1
C=6.8 pF
L
L6
L=5.6 nH
R=
L
L5
L=5.6 nH
R=
R
R1
R=22 Ohm
L
L3
L=5.6 nH
Port
P2
Port
P1
C
C5
C=1000 pF
C
C3
C=1.2 pF
Vshutdown = +3.3V ON
Vshutdown =0V OFF
Vdd = +3.3V nom
RF Input
RF output
1
2
4
3
8
7
5
6
Detector output
*
* 0.56mm wide on 10mil thick Rogers RO4350 board
- Components L6, C2 and C3 should be located as close to the packaged device pins as possible.
- Components R1 and L4 are used to isolate the test board from Power Supply effects.
- Recommended PCB material is Roger, RO4350.
- Suggested component values may vary according to layout and PCB material.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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