參數(shù)資料
型號： MG200Q2YS65H
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： IGBT Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： IGBT模塊IGBT的硅?頻道
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： MG200Q2YS65H
MG200Q2YS65H
2002-10-04
4
S
S
Collector current I
C
(A)
Switching time – I
C
S
Collector current I
C
(A)
Switching time – I
C
S
Gate resistance R
G
( )
Switching time – R
G
S
Gate resistance R
G
( )
Switching time – R
G
Collector current I
C
(A)
Switching loss – I
C
Gate resistance R
G
( )
Switching loss – R
G
S
0.01
0.1
1
1
100
10
tr
td (on)
ton
Common emitter
VCC 600 V
IC 200 A
VGE 15 V
: Tc 25°C
: Tc 125°C
0.01
0.1
10
1
100
10
: Tc 25°C
: Tc 125°C
Common emitter
VCC 600 V
IC 200 A
VGE 15 V
toff
td (off)
tf
1
0.01
10
0.1
1
100
1000
toff
td (off)
tf
Common emitter
VCC 600 V
VGE 15 V
RG 4.7
: Tc 25°C
: Tc 125°C
0.1
1
100
10
1000
100
Eoff
Edsw
Eon
: Tc 25°C
: Tc 125°C
Common emitter
VCC 600 V
VGE 15 V
RG 4.7
10
0.01
10
0.1
1
100
1000
: Tc 25°C
: Tc 125°C
Common emitter
VCC 600 V
VGE 15 V
RG 4.7
tr
ton
td (on)
1
10
1000
1
100
10
Eon
Eoff
Edsw
: Tc 25°C
: Tc 125°C
Common emitter
VCC 600 V
IC 200 A
VGE 15 V
100
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PDF描述
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